Adafruit SPI Non-Volatile FRAM Breakout, 4Mbit / 512KByte, MB85RS4MT

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Adafruit SPI Non-Volatile FRAM Breakout, 4Mbit / 512KByte, MB85RS4MT

Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) ähnelt vom Aufbau her einer DRAM-Zelle, besteht jedoch anstelle eines konventionellen Kondensators aus einem mit ferroelektrischem Dielektrium. Im Gegensatz zu DRAM ist FRAM nichtflüchtig und kann im Gegensatz zu Flash oder EEPROM problemlos 10 Billionen mal gelesen/beschrieben werden.

Damit eignet sich das SPI FRAM Breakout Board insbesondere für die Verwendung von low-power Datenloggern und zum Puffern von Daten in Szenarien bei denen eine stabile Spannungsquelle nicht gewährleistet werden kann.

Der verwendete FRAM Chip bietet 512 KB Speicher, die Möglichkeit der Ansteuerung über SPI und kann bei Taktungen bis 40 MHz betrieben werden. Das Lesen und Beschreiben erfolgt ohne Verzögerungen, wie bei SRAM - die Daten halten jedoch 95 Jahre bei Raumtemperatur.