Adafruit SPI Non-Volatile FRAM Breakout, 64Kbit / 8KByte, 1897

Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) ähnelt vom Aufbau her einer DRAM-Zelle, besteht jedoch anstelle eines konventionellen Kondensators aus einem mit ferroelektrischem Dielektrium. Im Gegensatz zu DRAM ist FRAM nichtflüchtig und kann im Gegensatz zu Flash oder EEPROM problemlos 10 Billionen mal gelesen/beschrieben werden.

Damit eignet sich das SPI FRAM Breakout Board insbesondere für die Verwendung von low-power Datenloggern und zum Puffern von Daten in Szenarien bei denen eine stabile Spannungsquelle nicht gewährleistet werden kann.

Der verwendete FRAM Chip bietet 8 KB Speicher, die Möglichkeit der Ansteuerung über SPI und bei Taktungen bis 20 MHz betrieben werden. Das Lesen und Beschreiben erfolgt ohne Verzögerungen, wie bei SRAM - die Daten halten jedoch 95 Jahre bei Raumtemperatur.